Микрочиповая технология MSCSM120AM027CD3AG

ПМ-МОП-транзистор-SIC-SBD~-D3

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM120AM027CD3AG
Упаковка: Коробка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 1
Артикул: MSCSM120AM027CD3AG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Коробка
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	2 N канал (фазовая ветвь)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	733А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	3,5 мОм при 360 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,8 В @ 9 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	2088 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	27000пФ при 1000В
Мощность - Макс.	2,97 кВт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	Д3
Базовый номер продукта	МСКСМ120
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM120AM027CD3AG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ) 733 А (Tc) 2,97 кВт (Tc) Монтаж на шасси D3