Микрочиповая технология MSCMC170AM08CT6LIAG

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCMC170AM08CT6LIAG
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5119
Артикул: MSCMC170AM08CT6LIAG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	2 N канал (фазовая ветвь)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700В (1,7кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	280А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	11,7 мОм при 300 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В при 108 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	1128 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	22000пФ при 1000В
Мощность - Макс.	1780 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП6С ЛИ
Базовый номер продукта	MSCMC170
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCMC170AM08CT6LIAG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1700 В (1,7 кВ), 280 А (Tc) 1780 Вт (Tc) Монтаж на шасси SP6C LI