Микрочиповая технология MSCM20XM10T3XG

PM-MOSFET-OTHER-SP3X

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCM20XM10T3XG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 11
Артикул: MSCM20XM10T3XG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $257.1800

Дополнительная цена:$257.1800

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация	6 Н-каналов (3-фазный мост)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	200В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	108А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9,7 мОм при 81 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	161 НК при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	10700пФ при 50В
Мощность - Макс.	341 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 125°С (Тс)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП3Х
Базовый номер продукта	MSCM20
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCM20XM10T3XG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 200 В, 108 А (Tc), 341 Вт (Tc), крепление на багажнике SP3X