Микрочиповая технология MSCGLQ50DH120CTBL2NG

ПМ-IGBT-SBD-BL2

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCGLQ50DH120CTBL2NG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 4687
Артикул: MSCGLQ50DH120CTBL2NG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $155,6300

Дополнительная цена:$155,6300

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Конфигурация	Асимметричный мост
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	110 А
Мощность - Макс.	375 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,4 В @ 15 В, 50 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	25 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	2,77 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ-термистор	Да
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Базовый номер продукта	MSCGLQ
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCGLQ50DH120CTBL2NG
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT Асимметричный мост 1200 В 110 А 375 Вт Монтаж на шасси