| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип диода | PIN-код – одиночный |
| Напряжение — пиковое обратное (макс.) | 80В |
| Ток - Макс. | 100 мА |
| Эмкость @ Вр, Ф | 0,02 пФ при 50 В, 1 ГГц |
| Сопротивление @ Если, F | 2,5 Ом при 100 мА, 1 ГГц |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3 Вт |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С |
| Пакет/ключи | Править |
| Поставщик пакета оборудования | Чип |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0070 |
| Другие имена | 150-МПС4102-013С |
| Стандартный пакет | 1 |
PIN-код радиочастотного диода — одиночный чип, 80 В, 100 мА, 3 Вт