Технология микрочипов JANKCDR2N5152 — биполярная технология микрочипов (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология JANKCDR2N5152

ТРАНС НПН 80В 2А ТО39

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология JANKCDR2N5152
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4015
  • Артикул: ЯНККДР2Н5152
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд Военный, MIL-PRF-19500/544
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,5 В @ 500 мА, 5 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 30 @ 2,5 А, 5 В
Мощность - Макс. 1 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка
Поставщик пакета оборудования ТО-39 (ТО-205АД)
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 150-JANKCDR2N5152
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В 2 А 1 Вт сквозное отверстие ТО-39 (ТО-205АД)