Технология микрочипов JANKCBF2N3700 — биполярная технология микрочипов (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология JANKCBF2N3700

ТРАНС НПН 80В 1А ТО18

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология JANKCBF2N3700
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 8042
  • Артикул: ЯНККБФ2Н3700
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд Военный, MIL-PRF-19500/391
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500 мВ при 50 мА, 500 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 10нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 150 мА, 10 В
Мощность - Макс. 500 мВт
Частота – переход -
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка
Поставщик пакета оборудования ТО-18 (ТО-206АА)
Базовый номер продукта 2Н3700
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 150-ЯНККБФ2Н3700
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80 В 1 А 500 мВт сквозное отверстие ТО-18 (ТО-206АА)