Микрочиповая технология JANHCB2N3439
ТРАНС НПН 350В 1А ТО39
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JANHCB2N3439
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 3767
- Артикул: ЯНХКБ2Н3439
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/368 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 350 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 500 мВ при 4 мА, 50 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 2мкА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 при 20 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 800 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -55°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-39 (ТО-205АД) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 150-JANHCB2N3439 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 350 В 1 А 800 мВт сквозное отверстие ТО-39 (ТО-205АД)
