Микрочиповая технология JAN2N3501UB/TR
ТРАНС НПН 150В 0,3А УБ
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JAN2N3501UB/TR
- Упаковка: Лента и катушка (TR)
- Техническая спецификация:-
- Запас: 7493
- Артикул: ЯН2Н3501УБ/ТР
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/366 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 300 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 150 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 400 мВ при 15 мА, 150 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 500 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | УБ |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 150-ЯН2Н3501УБ/ТР |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 150 В 300 мА 500 мВт для поверхностного монтажа UB
