Микрочиповая технология APT80GA90S

IGBT PT MOS 8 ОДИНОЧНЫЙ 900 В 80 А

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология APT80GA90S
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 207
Артикул: АПТ80ГА90С
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $11.9400

Дополнительная цена:$11.9400

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛА МОС 8®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ПТ
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	900 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	145 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	239 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3,1 В при 15 В, 47 А
Мощность - Макс.	625 Вт
Переключение энергии	1625 мДж (включено), 1389 мДж (выключено)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	200 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	18 нс/149 нс
Условия испытаний	600 В, 47 А, 4,7 Ом, 15 В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА
Поставщик пакета оборудования	Д3ПАК
Базовый номер продукта	АПТ80GA90
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-APT80GA90S
Стандартный пакет	1

IGBT PT 900 В 145 А 625 Вт для поверхностного монтажа D3PAK