Технология микрочипа APT75GN60BDQ2G

IGBT FIELDSTOP ОДИНОЧНЫЙ 600 В 75 А T

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT75GN60BDQ2G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 70
Артикул: АПТ75GN60BDQ2G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $10.1200

Дополнительная цена:$10.1200

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	155 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	225 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1,85 В @ 15 В, 75 А
Мощность - Макс.	536 Вт
Переключение энергии	2,5 мДж (вкл.), 2,14 мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	485 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	47 нс/385 нс
Условия испытаний	400В, 75А, 1Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr)	25 нс
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Базовый номер продукта	АПТ75ГН60
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-APT75GN60BDQ2G
Стандартный пакет	30

IGBT Trench Field Stop 600 В 155 А 536 Вт Сквозное отверстие ТО-247-3