Микрочиповая технология APT60GF120JRD

IGBT NPT COMBI 1200 В 60 А ISOTOP

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология APT60GF120JRD
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация:-
Запас: 3969
Артикул: АПТ60GF120JRD
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $74,6700

Дополнительная цена:$74,6700

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ДНЯО
Конфигурация	Одинокий
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	115 А
Мощность - Макс.	521 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3,4 В @ 15 В, 60 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	500 мА
Входная емкость (Cies) при Vce	7,08 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ-термистор	Нет
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	СОТ-227-4, миниБЛОК
Поставщик пакета оборудования	СОТ-227 (ИЗОТОП®)
Базовый номер продукта	АПТ60
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-APT60GF120JRD
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT NPT одиночный, 1200 В, 115 А, 521 Вт, монтаж на шасси SOT-227 (ISOTOP®)