Технология микрочипа APT50GN60BDQ3G

IGBT FIELDSTOP COMBI 600В 50А ТО

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT50GN60BDQ3G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 177
Артикул: АПТ50ГН60БДК3Г
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $10.6000

Дополнительная цена:$10.6000

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	107 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	150 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1,85 В @ 15 В, 50 А
Мощность - Макс.	366 Вт
Переключение энергии	1185 мДж (вкл.), 1565 мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	325 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	20 нс/230 нс
Условия испытаний	400 В, 50 А, 4,3 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr)	35 нс
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Базовый номер продукта	АПТ50ГН60
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-APT50GN60BDQ3G
Стандартный пакет	1

IGBT Trench Field Stop 600 В 107 А 366 Вт Сквозное отверстие ТО-247-3