| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | СИЛА МОС 8® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип БТИЗ | ПТ |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 600 В |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 65 А |
| Ток-коллекторный импульсный (Icm) | 109 А |
| Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2,5 В @ 15 В, 20 А |
| Мощность - Макс. | 290 Вт |
| Переключение энергии | 307 мкДж (вкл.), 254 мкДж (выкл.) |
| Тип входа | Стандартный |
| Заряд от ворот | 102 НК |
| Td (вкл/выкл) при 25°C | 16 нс/122 нс |
| Условия испытаний | 400В, 20А, 10Ом, 15В |
| Время обратного восстановления (trr) | 19 нс |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА |
| Поставщик пакета оборудования | Д3ПАК |
| Базовый номер продукта | АПТ36GA60 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 150-APT36GA60SD15 |
| Стандартный пакет | 1 |
IGBT PT 600 В 65 А 290 Вт для поверхностного монтажа D3PAK