Технология микрочипа APT35GP120B2D2G

БТИЗ ПТ КОМБИ 1200В 35А ТО-247

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT35GP120B2D2G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация:-
Запас: 2652
Артикул: АПТ35ГП120Б2Д2Г
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	СИЛА МОС 7®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ПТ
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	96 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	140 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3,9 В при 15 В, 35 А
Мощность - Макс.	540 Вт
Переключение энергии	1 мДж (вкл.), 1185 мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	150 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	14 нс/99 нс
Условия испытаний	800В, 35А, 5Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr)	85 нс
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3 Вариант
Поставщик пакета оборудования	Т-МАКС™ [Б2]
Базовый номер продукта	АПТ35ГП120
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-АПТ35ГП120Б2Д2Г
Стандартный пакет	1

IGBT PT 1200 В, 96 А, 540 Вт, сквозное отверстие T-MAX™ [B2]