Технология микрочипа APT35GN120SG

IGBT FIELDSTOP ОДИНОЧНЫЙ 1200 В 35 А

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT35GN120SG
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 68
Артикул: АПТ35ГН120СГ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $9.5700

Дополнительная цена:$9.5700

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ДНЯО, Остановка траншейного поля
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	94 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	105 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,1 В @ 15 В, 35 А
Мощность - Макс.	379 Вт
Переключение энергии	-, 2,315мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	220 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	24 нс/300 нс
Условия испытаний	800 В, 35 А, 2,2 Ом, 15 В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА
Поставщик пакета оборудования	Д3ПАК
Базовый номер продукта	АПТ35ГН120
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-АПТ35ГН120СГ
Стандартный пакет	30

IGBT NPT, траншейный полевой стопор 1200 В, 94 А, 379 Вт, для поверхностного монтажа D3PAK