Технология микрочипа APT25GN120SG/TR

IGBT FIELDSTOP НИЗКОЧАСТОТНЫЙ SIN

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT25GN120SG/TR
Упаковка: Лента и катушка (TR)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 5117
Артикул: АПТ25ГН120СГ/ТР
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $7.7539

Дополнительная цена:$7.7539

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	67 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	75 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,1 В @ 15 В, 25 А
Мощность - Макс.	272 Вт
Переключение энергии	-, 2,15 Дж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	155 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	22 нс/280 нс
Условия испытаний	800В, 25А, 1Ом, 15В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА
Поставщик пакета оборудования	Д3ПАК
Базовый номер продукта	АПТ25ГН120
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-АПТ25ГН120СГ/ТР
Стандартный пакет	400

IGBT Trench Field Stop 1200 В, 67 А, 272 Вт, для поверхностного монтажа D3PAK