Технология микрочипа APT20GN60BDQ2G

IGBT FIELDSTOP COMBI 600В 20А ТО

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT20GN60BDQ2G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 11
Артикул: АПТ20GN60BDQ2G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $7.0000

Дополнительная цена:$7.0000

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	40 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	60 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1,9 В @ 15 В, 20 А
Мощность - Макс.	136 Вт
Переключение энергии	230 мкДж (вкл.), 580 мкДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	120 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	9 нс/140 нс
Условия испытаний	400 В, 20 А, 4,3 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr)	30 нс
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247-3
Базовый номер продукта	АПТ20ГН60
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-APT20GN60BDQ2G
Стандартный пакет	30

IGBT Trench Field Stop 600 В 40 А 136 Вт Сквозное отверстие ТО-247-3