Микрочиповая технология 2N5115E3
JFET P-CH 30В ТО18
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология 2N5115E3
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 2066
- Артикул: 2Н5115Е3
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Напряжение – проба (В(BR)GSS) | 30 В |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 15 при мА 15 В |
| Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | 3 В @ 1 нА |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 25пФ при 15В |
| Сопротивление - RDS(Вкл.) | 100 Ом |
| Мощность - Макс. | 500 мВт |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-18 (ТО-206АА) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 150-2Н5115Е3 |
| Стандартный пакет | 1 |
JFET P-канал, 30 В, 500 мВт, сквозное отверстие ТО-18 (ТО-206АА)
