| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 40 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | - |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 150 мА, 10 В |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | - |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | Править |
| Поставщик пакета оборудования | Править |
| Базовый номер продукта | 2C2222 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN, 40 В, кристалл для поверхностного монтажа