Микрочиповая технология 1011GN-125EP

ПОДДОН, ГАН, 1030/1090 МГЦ, 125Вт

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология 1011GN-125EP
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 2347
Артикул: 1011ГН-125ЭП
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	EP
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	ХЕМТ
Частота	1,03 ГГц ~ 1,09 ГГц
Прирост	18,75 дБ
Напряжение – Тест	50 В
Текущий рейтинг (А)	-
Коэффициент шума	-
Текущий — Тест	60 мА
Мощность — Выход	150 Вт
Напряжение - номинальное	125 В
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-1011ГН-125ЭП
Стандартный пакет	1

RF Mosfet 50 В 60 мА 1,03–1,09 ГГц 18,75 дБ 150 Вт