Микрочиповая технология 0912GN-650V

ТРАН, ГАН, 960-1215 МГц, 650 Вт, 5

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология 0912GN-650V
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3329
Артикул: 0912ГН-650В
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	В
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	ХЕМТ
Частота	960 МГц ~ 1215 ГГц
Прирост	18 дБ
Напряжение – Тест	50 В
Текущий рейтинг (А)	-
Коэффициент шума	-
Текущий — Тест	100 мА
Мощность — Выход	650 Вт
Напряжение - номинальное	150 В
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	55-КР
Поставщик пакета оборудования	55-КР
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-0912ГН-650В
Стандартный пакет	1

RF Mosfet 50 В 100 мА 960 МГц ~ 1215 ГГц 18 дБ 650 Вт 55-KR