| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ВСПЫШКА |
| Технология | ФЛЕШ-НЕ-НЕ |
| Размер | 4 Тбит |
| Организация | 512Г х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 333 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 2,5 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | - |
| Пакет/ключи | - |
| Поставщик пакета оборудования | - |
| Базовый номер продукта | MT29F4T08 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3А991Б1А |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Стандартный пакет | 1120 |
FLASH-NAND ИС память, 4 Тбит, параллельная частота, 333 МГц