Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXFQ90N20X3 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFQ90N20X3

IXFQ90N20X3

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFQ90N20X3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3476
  • Артикул: IXFQ90N20X3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $9.4547

Дополнительная цена:$9.4547

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™, Ультра Х3
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 90А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 12,8 мОм при 45 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4,5 В @ 1,5 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 78 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5420 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 390 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-3П
Пакет/ключи ТО-3П-3, СК-65-3
Базовый номер продукта IXFQ90
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
Н-канал 200 В 90 А (Тс) 390 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-3П