| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Энергонезависимый, Летучий |
| Формат памяти | ФЛЕШ, ОЗУ |
| Технология | ФЛЭШ-NAND, DRAM- LPDDR2 |
| Размер | 1 Гбит (NAND), 512 Мбит (LPDDR2) |
| Организация | 128 М x 8 (NAND), 32 М x 16 (LPDDR2) |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 533 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,8 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 121-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 121-ВФБГА (8х7,5) |
| Базовый номер продукта | MT29RZ1CV |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3А991Б1А |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Стандартный пакет | 1000 |
FLASH — NAND, DRAM — LPDDR2 ИС память 1 Гбит (NAND), 512 Мбит (LPDDR2) Параллельно, 533 МГц 121-VFBGA (8x7,5)