Infineon Technologies FD650R17IE4BOSA2
FD650R17IE4BOSA2
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies FD650R17IE4BOSA2
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 7765
- Sku: FD650R17IE4BOSA2
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Станодар | 3 |
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | Primepack ™ 2 |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Активна |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Одинокий |
| Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks | 1700 В. |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 930 А. |
| Синла - МАКС | 4150 |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.45V @ 15V, 650A |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 5 май |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 54 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | В дар |
| Raboч -yemperatura | -40 ° С ~ 150 ° С. |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Модул |
| Baзowый nomer prodikta | FD650R17 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
Модуль IGBT одинокий 1700 В 930 А 4150 - Модул,
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F