Micron Technology Inc. MT46H256M32L4SA-48 WT: C
MT46H256M32L4SA-48 WT: c
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT46H256M32L4SA-48 WT: C
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9321
- Sku: MT46H256M32L4SA-48 WT: c
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - Mobile LPDDR |
| Raзmerpmayti | 8 Гит |
| Органихая | 256 м x 32 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 208 мг |
| Верна, аписи - | 14.4ns |
| Вернее | 5 млн |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
| Rraboч -yemperatura | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 168-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 168-TFBGA (12x12) |
| Baзowый nomer prodikta | MT46H256M32 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0036 |
| Станодадж | 1000 |
SDRAM - MOBILNANVARYPAMPATH LPDDR IC 8GBIT PARALLELH 208 MMGц 5 ns 168 -TFBGA (12x12)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p