| Параметры |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0024 |
| Стандартный пакет | 1000 |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPSDR |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 16М х 32 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 166 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 5 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 90-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 90-ВФБГА (10х13) |
| Базовый номер продукта | МТ48Х16М32 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
SDRAM — микросхема памяти Mobile LPSDR, 512 Мбит, параллельная, 166 МГц, 5 нс, 90-VFBGA (10x13)