| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR2 |
| Размер | 2Гбит |
| Организация | 512М х 4 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 267 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 500 пс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В |
| Рабочая температура | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 63-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 63-ФБГА (8х10) |
| Базовый номер продукта | МТ47Х512М4 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0036 |
| Стандартный пакет | 1000 |
SDRAM — ИС память DDR2, 2 Гбит, параллельная, 267 МГц, 500 пс, 63-FBGA (8x10)