| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | У-МОСВИИ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1,5 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 30 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 120 мВ при 10 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 400 при 150 мА, 2 В |
| Мощность - Макс. | 1,6 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 |
| Поставщик пакета оборудования | ВС-6 (2,9х2,8) |
| Базовый номер продукта | ТПК6503 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | ТПК6503(ТЕ85ЛФМ) |
| Стандартный пакет | 3000 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 30 В 1,5 А 1,6 Вт для поверхностного монтажа VS-6 (2,9х2,8)