Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H(TE12LQM) — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H(TE12LQM)

ТПК8А06-Х(ТЕ12ЛКМ)

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A06-H(TE12LQM)
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1783 г.
  • Артикул: ТПК8А06-Х(ТЕ12ЛКМ)
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 10,1 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,3 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 19 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1800 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора Диод Шоттки (корпус)
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая температура -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП (5,5х6,0)
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм)
Базовый номер продукта ТПК8А06
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена TPC8A06HTE12LQM
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 30 В 12 А (Та) для внешнего монтажа 8-СОП (5,5х6,0)