Toshiba Semiconductor and Storage TTC008(Q)
ТТС008(В)
- Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
- Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TTC008(Q)
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 3410
- Артикул: ТТС008(В)
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1,5 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 285 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1 В @ 62,5 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 при 1 мА, 5 В |
| Мощность - Макс. | 1,1 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА |
| Поставщик пакета оборудования | PW-MOLD2 |
| Базовый номер продукта | ТТС008 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | TTC008Q |
| Стандартный пакет | 200 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 285 В 1,5 А 1,1 Вт сквозное отверстие PW-MOLD2
