| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | У-МОСВИ |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 9А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 4,5 В, 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 15 мОм при 4,5 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2 В @ 500 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 64 НК при 10 В |
| ВГС (Макс) | +20В, -25В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2900 пФ при 10 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1 Вт (Та) |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОП |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Базовый номер продукта | ТПК8133 |
| Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 2500 |
П-канал 40 В 9А (Та) 1 Вт (Та) Для поверхностного монтажа 8-СОП