Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXFT30N50Q3 - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXFT30N50Q3

IXFT30N50Q3

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXFT30N50Q3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1590 г.
  • Артикул: IXFT30N50Q3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $15.3200

Дополнительная цена:$15.3200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд HiPerFET™, класс Q3
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 200 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 6,5 В при 4 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3200 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 690 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-268АА
Пакет/ключи ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА
Базовый номер продукта IXFT30
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена -IXFT30N50Q3
Стандартный пакет 30
Н-канал 500 В 30 А (Tc) 690 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-268АА