| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM — мобильный LPDDR2-S4 |
| Размер | 256Мбит |
| Организация | 16М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Напряжение питания | 1,14 В ~ 1,3 В, 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 134-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 134-ТФБГА (10х11,5) |
| Базовый номер продукта | ИС43ЛД16160 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0024 |
| Другие имена | 706-ИС43ЛД16160Б-25БЛИ |
| Стандартный пакет | 171 |
SDRAM — микросхема мобильной памяти LPDDR2-S4, 256 Мбит, параллельная частота, 400 МГц, 134-TFBGA (10x11,5)