| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR2 |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 16М х 32 |
| Интерфейс памяти | SSTL_18 |
| Тактовая частота | 333 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Время доступа | 450 пс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 126-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 126-ТБГА (10,5х13,5) |
| Базовый номер продукта | ИС43ДР32160 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Информация REACH предоставляется по запросу. |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0028 |
| Другие имена | 2156-IS43DR32160C-3DBL |
| Стандартный пакет | 1 |
SDRAM — ИС память DDR2 512 Мбит SSTL_18 333 МГц 450 пс 126-TWBGA (10,5x13,5)