Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXTT1N300P3HV - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXTT1N300P3HV
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3657
  • Артикул: IXTT1N300P3HV
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $40.5800

Дополнительная цена:$40.5800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд Полярный P3™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 3000 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 50 Ом при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 30,6 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 895 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 195 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-268ХВ (ИКСТ)
Пакет/ключи ТО-268-3, Д³Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА
Базовый номер продукта IXTT1
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена -IXTT1N300P3HV
Стандартный пакет 30
Н-канальный 3000 В, 1 А (Tc) 195 Вт (Tc) для поверхностного монтажа TO-268HV (IXTT)