| Парметр | |
|---|---|
| Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 80 Вт (TC) |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | PG-TO263-3-2 |
| PakeT / KORPUES | TO-263-3, D²PAK (2 LEADS + TAB), TO-263AB |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 0000.00.0000 |
| Станодар | 1 |
| Млн | ДОДЕЛИНАРЕДНА |
| В припании | Hexfet® |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ФЕТ | N-канал |
| Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
| Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 55 |
| TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 51a (TC) |
| Rds on (max) @ id, vgs | 13,5mohm @ 31a, 10 В |
| Vgs (th) (max) @ id | 3 В @ 250 мк |
| ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 36 NC @ 5 V |
| Vgs (mmaks) | ± 16 В. |
| Взёр. | 1620 PF @ 25 V |
| FET FUONKSHINA | - |
N-kanal 55-51a (tc) 80w (tc) poverхnosstnoe kreplepleneene pg-to263-3-2
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740