| Параметры |
| Производитель | Инфинеон Технологии |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип БТИЗ | Траншейная полевая остановка |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 1200 В |
| Ток-коллекторный импульсный (Icm) | 300 А |
| Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2,1 В при 15 В, 100 А |
| Переключение энергии | - |
| Тип входа | Стандартный |
| Td (вкл/выкл) при 25°C | - |
| Условия испытаний | - |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | Править |
| Поставщик пакета оборудования | Править |
| Базовый номер продукта | СИГК109 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
IGBT Trench Field Stop, кристалл для поверхностного монтажа, 1200 В