Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies SGW30N60 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии SGW30N60

БТИЗ, 41 А I(C), 600 В В(BR)CES, N

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии SGW30N60
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1215
  • Артикул: СГВ30Н60
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 41 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 112 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,4 В при 15 В, 30 А
Мощность - Макс. 250 Вт
Переключение энергии 640 мкДж (вкл.), 650 мкДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 140 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C 44 нс/291 нс
Условия испытаний 400В, 30А, 11Ом, 15В
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования ПГ-ТО247-3-21
Базовый номер продукта SGW30N
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
IGBT NPT 600 В 41 А 250 Вт сквозное отверстие PG-TO247-3-21