Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies IFS150B12N3T4_B31 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии IFS150B12N3T4_B31

БТИЗ, 150 А, 1200 В, Н-КАНАЛЬНЫЙ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии IFS150B12N3T4_B31
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9961
  • Артикул: IFS150B12N3T4_B31
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Полный мост
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 150 А
Мощность - Макс. 750 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В при 15 В, 150 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 9,35 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования АГ-ЭКОНО3-4-1
Базовый номер продукта IFS150
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT Trench Field Stop Полный мост 1200 В 150 А 750 Вт Монтаж на шасси AG-ECONO3-4-1