Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1
FZ2000R33HE4BOSA1
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies FZ2000R33HE4BOSA1
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 10
- Sku: FZ2000R33HE4BOSA1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | Ihm-b |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Коунфигура | Один |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 3300 В. |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 2000 А. |
| Синла - МАКС | 4,2 м |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,2 В прри 15 В, 2ka (typ) |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 5 май |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 280 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | Не |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | AG-IHVB190-3 |
| Baзowый nomer prodikta | FZ2000 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 1 |
Модуль, а, igbt-stopponowanowanowanowanowanowanowanovka odinoчnыйpereklючoteleh 3300 V 2000 A 4,2 м
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F