Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies FZ1200R12KE3NOSA1 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FZ1200R12KE3NOSA1

БТИЗ-МОДУЛЬ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FZ1200R12KE3NOSA1
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 58
  • Артикул: FZ1200R12KE3NOSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $822.1000

Дополнительная цена:$822.1000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Конфигурация Одиночный переключатель
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1700 А
Мощность - Макс. 5600 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,15 В @ 15 В, 1,2 кА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 86 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 125°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования -
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT с одним переключателем, 1200 В, 1700 А, 5600 Вт, монтаж на шасси