Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies FS600R07A2E3BOSA3 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FS600R07A2E3BOSA3

МОДУЛЬ IGBT 600 В ГИБРИДНЫЙ ПАКЕТ 2

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FS600R07A2E3BOSA3
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2297
  • Артикул: FS600R07A2E3BOSA3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд ГибридПАК™ 2
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Трехфазный
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 530 А
Мощность - Макс. 1250 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,6 В @ 15 В, 400 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 39 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Да
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования -
Базовый номер продукта ФС600Р07
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN УСТАРЕВШИЙ
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT Trench Field Stop, трехфазный, 650 В, 530 А, 1250 Вт, монтаж на шасси