Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies FS200R10W3S7B11BPSA1 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FS200R10W3S7B11BPSA1

НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ ЛЕГКО

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FS200R10W3S7B11BPSA1
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1514
  • Артикул: ФС200Р10В3С7Б11БПСА1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $140,5200

Дополнительная цена:$140,5200

Подробности

Теги

Параметры
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования АГ-EASY3B
Базовый номер продукта ФС200
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 8
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд EasyPACK™, TRENCHSTOP™
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Конфигурация Полный мостовой инвертор
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 950 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 130 А
Мощность - Макс. 20 мВт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,98 В @ 15 В, 150 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 53 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 13 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Да
Модуль IGBT Trench Field Stop Полный мостовой инвертор 950 В 130 А 20 мВт Монтаж на шасси AG-EASY3B