Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies FF6MR12KM1BOSA1 - Infineon Technologies FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FF6MR12KM1BOSA1

СРЕДНЯЯ МОЩНОСТЬ 62 ММ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FF6MR12KM1BOSA1
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9941
  • Артикул: FF6MR12KM1BOSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Упаковка Поднос
Статус продукта Устаревший
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 250А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 5,81 мОм при 250 А, 15 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,15 В @ 80 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 496 НК при 15 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 14700пФ при 800В
Мощность - Макс. -
Рабочая температура -40°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования АГ-62ММ
Базовый номер продукта ФФ6МР12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 10
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolSiC™
Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 250 А (Tc), крепление на кронштейне АГ-62ММ