Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies FF4MR12W2M1HB11BPSA1 — полевые транзисторы Infineon Technologies, полевые МОП-транзисторы — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FF4MR12W2M1HB11BPSA1

МОДУЛЬ EASYDUAL С COOLSIC TRE

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FF4MR12W2M1HB11BPSA1
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6545
  • Артикул: FF4MR12W2M1HB11BPSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $263.3300

Дополнительная цена:$263.3300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд CoolSiC™
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Технология Карбид кремния (SiC)
Конфигурация 2 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора Карбид кремния (SiC)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 170А (Тдж)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4 мОм при 200 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,15 В @ 80 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 594 НК при 18 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 17600пФ при 800В
Мощность - Макс. 20мВт
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования Модуль
Базовый номер продукта FF4MR12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.39.0001
Другие имена 448-FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Стандартный пакет 15
Модуль Mosfet Array 1200 В 170 А (Tj) 20 мВт для монтажа на шасси