Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies FF2MR12W3M1HB11BPSA1 — полевые транзисторы Infineon Technologies, MOSFET — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FF2MR12W3M1HB11BPSA1

НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ EASY AG-EASY3B-3111

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FF2MR12W3M1HB11BPSA1
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8
  • Артикул: FF2MR12W3M1HB11BPSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $602.1000

Дополнительная цена:$602.1000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд EasyPACK™, CoolSiC™
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Технология Карбид кремния (SiC)
Конфигурация 4 Н-канала (полный мост)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 400А (Тдж)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 2,27 мОм при 400 А, 18 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5,15 В при 224 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1600 НК при 18 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 48400пФ при 800В
Мощность - Макс. 20мВт
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования АГ-EASY3B
Базовый номер продукта ФФ2МР12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 8
Массив МОП-транзисторов 1200 В, 400 А (Tj), 20 мВт, крепление на кронштейне AG-EASY3B