Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Infineon Technologies FF150R12KS4B2HOSA1 — IGBT Infineon Technologies — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Infineon Technologies FF150R12KS4B2HOSA1

FF150R12 - МОДУЛЬ БТИЗ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Infineon Technologies FF150R12KS4B2HOSA1
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3444
  • Артикул: FF150R12KS4B2HOSA1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ -
Конфигурация Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 225 А
Мощность - Макс. 1250 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 3,7 В при 15 В, 150 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 мА
Входная емкость (Cies) при Vce 11 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ Термистор Нет
Рабочая температура -40°С ~ 125°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи Модуль
Поставщик пакета оборудования АГ-62ММ
Базовый номер продукта ФФ150Р
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.39.0001
Стандартный пакет 1
Модуль IGBT Полумост 1200 В 225 А 1250 Вт Крепление на кронштейн AG-62MM