Infineon Technologies FF150R12KE3B8BDLA1
Модуль, Игбт
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies FF150R12KE3B8BDLA1
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 40
- Sku: FF150R12KE3B8BDLA1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Поломвинамос |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 225 а |
| Синла - МАКС | 1250 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 3,7 В @ 15 a, 150a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 5 май |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 11 nf @ 25 v |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | Не |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | AG-62 MM |
| Статус Ройс | Neprigodnnый |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | Продан |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.39.0001 |
| Станодар | 1 |
IGBT Module Half Bridge 1200 В 225 A 1250.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F